200 mm Reinraum-Infrastruktur

Wir bieten eine hochmoderne, voll integrierte und CMOS-kompatible ME(O)MS-on-CMOS-Linie.

Unser Reinraum ist mit seinem qualifizierten Team und den industrieorientierten Einrichtungen ideal für die Forschung und Entwicklung im Bereich MEMS und MOEMS-Bauelemente positioniert. Neben dem tiefgreifenden Verständnis für modernste MEMS-Fertigungsprozesse, gepaart mit moderner Fab-Technologie, sind wir der perfekte Partner für die Entwicklung von Technologien und Bauelementen.

 

Unser Reinraum auf einen Blick:

  • Low volume & high mix
  • Betrieb 24/5 in 3 Schichten
  • 45 Ingenieure + 45 Operateure und Wartungstechniker
  • ~1.000 Waferstarts pro Monat
  • CMOS-Kompatibilität
  • Klasse 10 (ISO 4) auf 1.500 m²
  • Zertifizierung nach ISO 9001:2015
  • MES für Planung, Rückverfolgbarkeit und Dokumentation
  • i-line (400nm L&S) und DUV-Cluster (130nm L&S)

Unser Toolpark

Wir bieten eine hochmoderne, voll integrierte und CMOS-kompatible ME(O)MS-on-CMOS-Linie

Lithographie

i-Line Stepper

  • 400 nm L / S

DUV-Scanner

  • bis zu 130/110 nm L / S
  • NSR-S210D Hi NA-248 nm Belichtungs-Scanning-System
  • KrF Excimer Laser

Coater

  • Spin
  • Spray

Double-side Mask Aligner

SpinMask

© Fraunhofer IPMS

Trockenätzen - (Deep) Reactive Ion Etching

RIE von

  • Oxiden
  • Metallen (Al / Al-Legierungen)
  • Silizium

RIE von Membranen

  • TiAl

DRIE von Silizium

  • Aspektverhältnis bis zu 40
  • Seitenwandwinkel 90° ± 1°
© Fraunhofer IPMS

Nasschemie / Nassätzen

Anisotropes Ätzen von Si (TMA)

  • Membrane
  • Rillen

Al (Phosphorsäure und Essigsäure)

SiO2 (NH4F-buffered HF)

SiN (Phosphorsäure)

© Fraunhofer IPMS

Reinigung

Wafer-Reinigung

Nanospray, Bürste, Kegelbürste

Nasses Abziehen (EKC clean)

 

© Fraunhofer IPMS

Abscheidung

PVD Sputtering:

Interkonnektoren

  • Al, AlSiCu, Ti, TiN

Chemische Sensoren und Barrieren

  • Ta, Ta2O5, HfO2

Spiegel und Halterungen

  • Al / Al2O3, TiAl, Al-Legierungen, SiO2

 

Evaporation

  • Al, SiO2, Al2O3, TiO2

 

ALD

  • FDTS für Anti Stiction
  • Al2O3, HfO2, SiO2
© Fraunhofer IPMS

Oxidation, Hochtemperatur und CMP

PE-CVD

Dielektrika

  • PE-USG, PE- BPSG
  • SA-USG, HDP-Oxide
  • Si3N4

Silizium und Verbindungen

  • a-Si
  • SiGe

Anwendungen

  • ILD / Passivierung
  • Membranen
  • Konstruktionsschicht

 

LP-CVD

Grabenverfüllung

  • Poly-Si
  • SiO2

Isolator, Membranen

  • Poly-Si
  • SiO2
  • Si3N4

 

CMP

5-Zonen-CMP

  • Si
  • SiO2

 

Annealing

Ofen

Rapid Thermal Annealing

 

Oxidation

Trocken, nass

Horizontal, vertikal

© Fraunhofer IPMS

Metrologie & Inspektion

Metrologie

Messung der Filmdicke

  • Optische Dickenmessung
  • Inline-Reflexion

CD-SEM

Ellipsometer

  • Optische Eigenschaften

Defekt-Messungen

  • Defekt-Inspektion
  • Defekt-Klassifizierung

 

Inspektion

Scanning Electron Microskop (Rasterelektronenmikroskop)

  • 3D-Inspektion
  • Analyse SEM mit FIB-Schnitt

Oberflächentopologie-Messungen

  • Atomic Force Microskop
  • Weißlicht-Interferometer 
  • Laser-Scanning-Mikroskop

Aktuator-Messung

  • Ultrahochfequenz-Vibrometer
© Fraunhofer IPMS

Virtueller Rundgang unseres 200 mm MEMS-Reinraums