Resistive Random Access Memory (RRAM)

Spezifikationen

• CMOS-kompatible RRAM-Stapel 
• 300-mm-Wafer-Prozesstechnologie
• Skalierbar bis hin zu fortgeschrittenen Technologieknoten
• Sehr energieeffizient dank Niederspannungsschalt- und Lesebetrieb

 

Unsere F&E-Dienstleistungen

• Forschungs- und Stapellösungen für die oxidbasierte Filamentschaltung
• Verfügbare Testrouten für die Bitzellen-Demonstration
• Umfassende Integrations-, Design- und Testlösungen von der Bit-Zelle bis zum vollständigen RRAM-Array