Fotodiode
![Spektrale Empfindlichkeit einer Fotodiode](/de/Components-and-Systems/Components-and-Systems-Sensors/Optical-Sensors/photodiode/jcr:content/contentPar/sectioncomponent_1893814082/sectionParsys/textwithinlinedimage/imageComponent1/image.img.jpg/1615290993282/photo-diode-spectrum.jpg)
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Silizium-basierte Fotodioden ermöglichen die Detektion sichtbarer und nahinfraroter Strahlung. Das Fraunhofer IPMS bietet kundenspezifische Entwicklungs- und Fertigungsleistungen von oberflächenbeleuchteten Multi-Detektorlösungen auf Chip-Level. Verfahren der MEMS-Strukturierung ermöglichen dabei applikationsspezifische Oberflächen-Topologien und Detektoranordnungen.
Durch lange Absorptionszonen werden hohe optische Empfindlichkeiten auch im nahen Infrarotbereich (> 0,4 A/W bei 700 nm bis 900 nm) bei geringen Dunkelströmen (typ. 5 nA/mm² bei 125 °C und 2,5 V) realisiert. Anwendung bieten sich etwa in der optischen Positionsbestimmung.
Das Fraunhofer IPMS erforscht darüber hinaus neue Detektionsprinzipien zur Realisierung von Sensoren für den Wellenlängenbereich zwischen 1,2 und 2 Mikrometern mit anpassbaren spektralen Eigenschaften. Die optische Empfindlichkeit soll zukünftig bei etwa 50 mA/W liegen, womit Anwendungen in Bereichen mit hohen optischen Leistungsdichten adressiert werden können – etwa in der Temperaturmessung oder Laserdetektion – die bisher III/V-Detektoren vorbehalten waren.