Fotodioden

Silizium-basierte Fotodioden ermöglichen die Detektion sichtbarer und nahinfraroter Strahlung. Das Fraunhofer IPMS bietet kundenspezifische Entwicklungs- und Fertigungsleistungen von oberflächenbeleuchteten Multi-Detektorlösungen auf Chip-Level. Verfahren der MEMS-Strukturierung ermöglichen dabei applikationsspezifische Oberflächen-Topologien und Detektoranordnungen.

Durch lange Absorptionszonen werden hohe optische Empfindlichkeiten auch im nahen Infrarotbereich (> 0,4 A/W bei 700 nm bis 900 nm) bei geringen Dunkelströmen (typ. 5 nA/mm² bei 125 °C und 2,5 V) realisiert. Anwendung bieten sich etwa in der optischen Positionsbestimmung.

Das Fraunhofer IPMS erforscht darüber hinaus neue Detektionsprinzipien zur Realisierung von Sensoren für den Wellenlängenbereich zwischen 1,2 und 2 Mikrometern mit anpassbaren spektralen Eigenschaften. Die optische Empfindlichkeit soll zukünftig bei etwa 50 mA/W liegen, womit Anwendungen in Bereichen mit hohen optischen Leistungsdichten adressiert werden können – etwa in der Temperaturmessung oder Laserdetektion – die bisher III/V-Detektoren vorbehalten waren.