Ionensensitiver Feldeffekttransistor (ISFET)

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Messe

Sensor + Test

Unsere Wissenschaftler sind vom 6. bis 8. Mai 2025 auf dem Nürnberger Messegelände. Besuchen Sie uns und erfahren Sie mehr über unsere Innovationen im Bereich der Analytik und Sensorik.

Ionensensitiver Feldeffekttransistor (ISFET)

Im Bereich Chemosensorik entwickelt das Fraunhofer IPMS Sensoren für die Detektion von Ionenkonzentrationen und Leitfähigkeiten in wässrigen Lösungen.

  • Design und Entwicklung von ISFET-Chips und Wafer-Teststrukturen
  • Messtechnische Prüfung und Charakterisierung auf Waferlevel (Modellierung zur Sensorarbeitspunktprognose, Schichtcharakteriserung und Waferbereich-Bewertung)
  • Entwicklung und Design von Aufbau- und Verbindungstechnologien zum Einsatz als Sensor (Modulkonzept) inklusive Untersuchungen und Entwicklungen zur polymertechnischen Isolation von ISFET-Chips und der Bewertung und Prüfung von Sensordichtungen
  • Messtechnische Prüfung und Charakterisierung in wässriger Lösung (pH0-14, 0-95°C) mit der Entwicklung, Erprobung und Automatisierung von Mess- und Charakterisierungsabfolgen
  • Entwicklung und Pilotfertigung von ISFET-Chips für die Integratoren, Systementwickler und Industrie. Haupteinsatzgebiete sind Umweltsensorik, Indoorfarming, Land- und Gewässerwirtschaft sowie Lifestyle- und Healthcare-Produkte.
  • Entwicklung und Pilotfertigung von ISFET-Arrays auf Basis ein n-Wannen Technologie
  • Entwicklung und Pilotfertigung von Ionenselektiven ISFETs

 

Sensor-Chip-Parameter

  • Chipgröße: 5x5 mm2
  • Arbeitspunkt: z. B. VDS - 0,5 V; IDS = 190...170 µA
  • Referenzelektrode wird benötigt
  • Fraunhofer IPMS n-Well ISFET ermöglicht mehrere separate ISFETS auf einem Chip

 

Parameter Min Typ Max Bedingung Einheit
Sensitivität 56 58,2 60 20 °C mV/pH
Drift   20 40 ph 7 µV / h
Reaktionszeit (Genauigkeit 0,02 pH)   5 8 pH 4-7 (bei 25 °C) s
Temperatur 5   80 pH 1-13 °C
pH range 1   13   pH
Druck 10   100   kPa
© Fraunhofer IPMS
Nahaufnahme einer Platine mit Ionensensitiven Feldeffekttransistoren (ISFET)
© Fraunhofer IPMS
Ionensensitiver Feldeffekttransistor (ISFET)

Leitfähigkeitssensor

Quadrupol für kapazitive und konduktive Messverfahren

  • Design und Entwicklung von CMOS-kompatiblen Leitfähigkeitssensorstrukturen
  • Design und Integration der Leitfähigkeitssensorstruktur in pH-Sensorsystemen
  • Messtechnische Erprobung und Charakteriserung
  • Design und Entwicklung von Schaltungen zur Integration der AC-Leifähigkeitssensorik in den DC-pH-Sensor

Einsatzgebiete

  • Umweltsensorik
  • Gewässerüberwachung
  • Abwassertechnik
  • Mikrofluidik
  • Sportmedizin/Körpersensorik 

Aufbau

  • Si-Wafer mit SiO2
  • Leitstrukturen aus Al + Tantal
  • Passivierung der Oberfläche durch Tantalpentoxid (Ta2O5)

 

Temperatursensor

  • Design und Entwicklung von CMOS-kompatiblen Temperatursensorstrukturen und Teststrukturen
  • Messtechnische Erprobung und Charakterisierung
  • Design und Integration der Temperatursensorstruktur in pH-Sensoren bzw. Leitfähigkeitssensoren
  • Design und Entwicklung von Schaltungen zur Integration der Temperatursensorik in den pH-Sensor/Leitsensor

Anwendungen und Projekte:

Projekt "REAL"

Ressourcenschonende Elektrochemische Analytik

Projekt "Pummel"

Point of Use Micro-Multichannel-Gas-Chromatograph

Projekt "REISen"

Ressourcen- und Energieschonende ISFET basierte Sensorik

Anwendung

Atemluftanalyse

Pressemitteilung

Innovation in der Sensorik

Neuentwicklung einer pH-Sensorschicht erfolgreich in ISFET integriert.