Nanoscopic Electrostatic Drive (NED)
Die am Fraunhofer IPMS entwickelten, neuartigen MEMS-basierten Biegeaktoren besitzen folgende Merkmale:
- V-NED: Ermöglicht vertikale Auslenkungen (aus der Chip-Ebene heraus)
- L-NED: Ermöglicht laterale Auslenkungen (innerhalb der Chip-Ebene)
- CMOS-Kompatibilität: Ermöglicht eine Integration von Elektronik in Biegeaktoren und die Integration von Biegeaktoren in CMOS-Schaltkreisen für die Integration von Aktoren, Sensoren und Elektronik innerhalb eines Halbleiterbauelements.
- RoHS-Kompatibilität: Ermöglicht RoHS-konforme Biegeaktorik und zeigt eine Alternative zu den gegenwärtig aus RoHS ausgenommenen Funktionskeramiken.